substrat GaAs
Descriere
Arseniura de galiu (GaAs) este un semiconductor compus din grupa III-Ⅴ important și matur, este utilizat pe scară largă în domeniul optoelectronică și microelectronică.GaAs este împărțit în principal în două categorii: GaAs semiizolant și GaAs de tip N.GaAs semiizolant este utilizat în principal pentru realizarea de circuite integrate cu structuri MESFET, HEMT și HBT, care sunt utilizate în comunicații cu radar, microunde și unde milimetrice, computere de ultra-înaltă viteză și comunicații cu fibră optică.GaAs-ul de tip N este utilizat în principal în lasere LD, LED, aproape infraroșu, lasere cu puțuri cuantice de mare putere și celule solare de înaltă eficiență.
Proprietăți
| Cristal | Dopat | Tip de conducere | Concentrația debitelor cm-3 | Densitatea cm-2 | Metoda de creștere |
| GaAs | Nici unul | Si | / | <5×105 | LE C |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Definiția substratului GaAs
Substratul GaAs se referă la un substrat format din material cristalin de arseniură de galiu (GaAs).GaAs este un semiconductor compus compus din elemente de galiu (Ga) și arsenic (As).
Substraturile GaAs sunt adesea folosite în domeniul electronicii și optoelectronicii datorită proprietăților lor excelente.Unele proprietăți cheie ale substraturilor GaAs includ:
1. Mobilitate mare a electronilor: GaAs are o mobilitate electronică mai mare decât alte materiale semiconductoare comune, cum ar fi siliciul (Si).Această caracteristică face ca substratul GaAs să fie potrivit pentru echipamente electronice de înaltă frecvență și putere.
2. Banda interzisă directă: GaAs are o bandă interzisă directă, ceea ce înseamnă că emisia eficientă de lumină poate apărea atunci când electronii și găurile se recombină.Această caracteristică face ca substraturile GaAs să fie ideale pentru aplicații optoelectronice, cum ar fi diodele emițătoare de lumină (LED-uri) și laserele.
3. Bandgap larg: GaAs are o bandgap mai larg decât siliciul, permițându-i să funcționeze la temperaturi mai ridicate.Această proprietate permite dispozitivelor bazate pe GaAs să funcționeze mai eficient în medii cu temperatură ridicată.
4. Zgomot redus: substraturile GaAs prezintă niveluri scăzute de zgomot, făcându-le potrivite pentru amplificatoare cu zgomot redus și alte aplicații electronice sensibile.
Substraturile GaAs sunt utilizate pe scară largă în dispozitive electronice și optoelectronice, inclusiv tranzistoare de mare viteză, circuite integrate cu microunde (CI), celule fotovoltaice, detectoare de fotoni și celule solare.
Aceste substraturi pot fi preparate folosind diferite tehnici, cum ar fi depunerea în vapori chimici organici metalici (MOCVD), epitaxia cu fascicul molecular (MBE) sau epitaxia în fază lichidă (LPE).Metoda de creștere specifică utilizată depinde de aplicația dorită și de cerințele de calitate ale substratului GaAs.
